12大关键技术


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封装工艺

• NVS共晶技术


• HBF光纤耦合

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芯片工艺

• G3技术


• IFVD技术

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材料生长

• SIC技术


• PQA技术


• LDHSC技术


• DS技术

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芯片设计

• NC高量子效率


• SALOC低损耗


• SP小发散角


• NA抑制COD

核心技术

高效率芯片设计技术

▪ NC高量子效率技术:采用载流子限制的新型能带工程设计,提高了载流子注入效率,大大减弱了高电流下的载流子泄露效应,实现了量子效率的提升与突破!


▪ SALOC低内损耗技术:发展了光场与掺杂分布的波导新结构,突破了内损耗和电压之间相互制约的矛盾,实现了低电压的同时具有极低的内损耗。

低损耗低缺陷高均匀性的外延材料生长技术

▪ 低损耗、低杂质工艺技术
▪ 低缺陷密度控制技术
▪ 高均匀性、高重复稳定性
▪ 高应力补偿量子阱生长技术
▪ 混合材料体系界面控制技术

核心技术
核心技术

腔面光学灾变损伤控制技术

▪ 腔面的光学灾变损伤COMD——实现高功率输出的巨大瓶颈和核心关键技术!


 自主特殊腔面处理与镀膜技术,从第一代G1技术发展到今天的第三代技术G3,实现高功率工作条件下的无光学灾变损伤!

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